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AQ1A3M	文件：104.02 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICandmotorsolenoidavailableup to2A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AR1A3M	文件：96.56 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •HighcurrentdrivessuchasICoutputandactuatoravailable •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BA1A3Q	文件：103.36 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BA1A3Q	文件：258.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBN1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB1A3M	文件：104.63 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTORon-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching TheBB1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplianc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BN1A3Q	文件：263.99 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BN1A3Q	文件：109.5 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1A3M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
CE1A3Q	文件：338.85 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipzenerdiodeforsurgevoltageabsorption •On-chipbiasresistor:R1=1.0kΩ,R2=10kΩ •Lowpowerconsumptionduringdriving: VOL=0.12V@VI=5.0V,IC=0.5A •On-chipdumperdiodeforreversecable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CE1A3Q	文件：125.73 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR TheCE1A3Qisatransistorofon-chiphighhFEresistorincorporatingdumperdiodeincollectortoemitterandzenerdiodeincollectortobaseasprotectelements.ThistransistorisidealforactuatordrivesofOAequipmentsandelectricequipments. FEATURES •On-chipzenerdiodeforsur	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
1A3G-T
功能描述：
整流器 .6mm Ld 1A 200V GP
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

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更多1A3G-T供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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