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BAV199LT1	文件：51.85 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV199LT1	文件：66.22 Kbytes Page：4 Pages	DualSeriesSwitchingDiode DualSeriesSwitchingDiode Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAV199LT1toorderthe7inch/3,000unitreel UseBAV199LT3toorderthe13inch/10,000unitreel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV199LT1	文件：119.46 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSwitchingDiode DualSeriesSwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV199LT1	文件：62.2 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES PowerdissipationPD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrentIF:215mA ReverseVoltageVR:70V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAV199LT1D	文件：119.46 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSwitchingDiode DualSeriesSwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAV199LT1G	文件：51.85 Kbytes Page：3 Pages	DualSeriesSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBAV199LT1G	文件：77.18 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountLowLeakgeDiodeUltra-SmallSurfaceMountPackage FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ● ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicati	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

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