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18N20J中文资料200V N Channel PLANAR MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

18N20J

功能描述

200V N Channel PLANAR MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 11:09:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :18N20J

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-251

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :200

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :18

  • Pd(W)

    :65.8

  • Vgs(th)max(V)

    :3

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :131

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :190

  • Qg(nC)

    :18

  • Qgs(nC)

    :4

  • Qgd(nC)

    :5.3

  • Ciss(pF)

    :850

  • Crss(pF)

    :15

  • Technology

    :PLANAR

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