18N20数据手册UTC中文资料规格书
18N20规格书详情
描述 Description
These kinds of n-channel power MOSFET field effect transistor have low conduction power loss, high input impedance,and high switching speed, Linear Transfer Characteristics, so can be use in a variety of power conversion applications. The 18N20 suitable for resonant and PWM converter topologies.
特性 Features
• RDS(ON) < 0.20Ω @ VGS=10V, ID=9.0A
• Fast switching capability
• Avalanche energy specified
• Improved dv/dt capability, high ruggedness
技术参数
- 制造商编号
:18N20
- 生产厂家
:UTC
- Vdss(V)
:200
- Vgss(V)
:±20
- Id(A)
:18
- Package
:TO-220/TO-220F/TO-25...
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
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TO-252 |
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TO252 |
101739998 |
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N |
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FK |
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TO-252 |
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