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丝印：160N4LF6；Package：TO-220；N-channel 40 V, 0.0021 mΩ typ., 120 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance RDS(on) • Logic level drive • High avalanche ruggedness • 100 avalanche tested Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STr 文件：817.45 Kbytes 页数：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
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TO-220 |
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STMicroelectronics |
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STM |
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更新时间2021-9-14 10:50:00
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