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1600N10

100 V N-ChannelMOSFET

Features • Low Gate Charge (Typ.2.78 nC) • Fast Switching • Improved dv/dt Capability • RoHS Compl iant • VDS =100V • RDS(ON) (at VGS=10V)

文件:624.46 Kbytes 页数:6 Pages

UMW

友台半导体

FDD1600N10ALZ

Consumer Appliances

文件:1.04946 Mbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD1600N10ALZ

100 V N-ChannelMOSFET

Features • Low Gate Charge (Typ.2.78 nC) • Fast Switching • Improved dv/dt Capability • RoHS Compl iant • VDS =100V • RDS(ON) (at VGS=10V)

文件:624.46 Kbytes 页数:6 Pages

UMW

友台半导体

FDD1600N10ALZ

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

文件:1.63304 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

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更多1600N10供应商 更新时间2026-4-21 11:06:00