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IPB144N12N3G	文件：365.38 Kbytes Page：11 Pages	丝印：144N12N；Package：PG-TO263-3；OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：365.38 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
144N12N	文件：365.38 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：365.38 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多144N12N供应商更新时间2025-11-15 14:14:00