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144N12N	文件：365.38 Kbytes Page：11 Pages	型号：IPB144N12N3G；Package：PG-TO263-3；OptiMOS?? Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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144N12N

文件：365.38 Kbytes

Page：11 Pages

型号：IPB144N12N3G；Package：PG-TO263-3；OptiMOS?? Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
144N12N
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
120V,56A,N Channel Power MOSFET
功能描述：
120V,56A,N-channel power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多144N12N供应商更新时间2025-8-4 22:34:00

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