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14313N6	文件：1.28028 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISZ143N13NM6；Package：PG-TSDSON-8-FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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文件：1.28028 Mbytes

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型号：ISZ143N13NM6；Package：PG-TSDSON-8-FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •100avalanchetested •175°Coperatingtemperature •Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications •Pb-freeleadpla

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更多14313N6供应商更新时间2025-8-3 15:20:00

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