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13005ECG-B-TM3-T

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION Thesedevicesaredesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedfor115and220VSWITCHMODE. FEATURES *VCEO(SUS)=850V *ReversebiasSOAwithinductiveloads@TC=100°С *Inductiveswitching

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

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更多13005ECG-B-TM3-T供应商 更新时间2025-5-14 16:21:00