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13003CDHG-TM3-T

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V applications in switch mode. FEATURES * Reverse biased SOA with inductive load @ TC=100°C * Inductive switching matr

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UTC

友顺

13003CDHG-TM3-T

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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友顺

1304-25B-LCT11-S3

MACOM

130m31

SOP16-1.27-3.9
SOP-16

SOP16-1.27-3.9

13115X

S
QFN

S

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更多13003CDHG-TM3-T供应商 更新时间2025-10-7 15:01:00