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13003ADGP-TM3-T	文件：151.13 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V applications in switch mode. FEATURES * Reverse biased SOA with inductive load @ TC=100°C * Inductive switching matr 文件：151.13 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
13003ADGP-TM3-T	文件：149.11 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：149.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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更多13003ADGP-TM3-T供应商更新时间2025-10-4 17:00:00

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