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MGS13002D	文件：138.69 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencyele	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGS13002DD	文件：111.23 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencye	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD13002-A	文件：1.41709 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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MJE13002	文件：257.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.0A •Collector-baseVoltage600V	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE13002	文件：113.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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