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12NN10G-S08-R

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150mΩ @ VGS=10V * Fast Switching Speed *

文件:160.96 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

12NN10G-S08-R

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:176.12 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

12P10L-TN3-R

UTC(友顺)
TO-252-2(DPAK)

UTC(友顺)

上传:深圳广友电子有限公司

UTC(友顺)

12RS104C

muRata(村田)
直插,D10.5xL10.5mm

muRata(村田)

12TQ045STRR

IR
TO-363

IR

国际整流器

上传:深圳市能元时代电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    12NN10G-S08-R

  • 制造商:

    UTC-IC

  • 制造商全称:

    UTC-IC

  • 功能描述:

    DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOP8
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50000
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更多12NN10G-S08-R供应商 更新时间2025-10-8 14:00:00