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12NN10中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER  MOSFET数据手册UTC规格书

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厂商型号

12NN10

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER  MOSFET

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 11:09:00

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12NN10规格书详情

描述 Description

The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

特性 Features

• Low Gate Charge (Typically 10nC)
• 2.5A, 100V, 150m Ω @ VGS=10V
• Fast Switching Speed
• Simple Drive Requirement

技术参数

  • 制造商编号

    :12NN10

  • 生产厂家

    :UTC

  • VGSS(V)

    :±20

  • ID(A)

    :2.5

  • RDS(ON)VGS=10V(mΩ)(Max)

    :180

  • RDS(ON)VGS=4.5V(mΩ)(Max)

    :-

  • RDS(ON)VGS=4.0V(mΩ)(Max)

    :-

  • RDS(ON)VGS=2.5V(mΩ)(Max)

    :-

  • RDS(ON)VGS=1.8V(mΩ)(Max)

    :-

  • VGS(th)(V)(Min)

    :1

  • VGS(th)(V)(Max)

    :3

  • Package

    :SOP-8

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