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HGTG12N60D1	文件：36.73 Kbytes Page：6 Pages	12A,600VN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelUltrafastDiode Description TheIGBTisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymo	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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更多12N60D1C供应商更新时间2025-5-22 19:13:00

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