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129N20N6	文件：1.07416 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPF129N20NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
129N20N6	文件：1.01394 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPT129N20NM6；Package：PG-HSOF-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IPF129N20NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IPT129N20NM6；Package：PG-HSOF-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

InfineonInfineon Technologies AG

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深圳市星辰微电科技有限公司	IPT129N20NM6	Infineon	23+	PG-HSOF-8	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳市煦洪科技有限公司	IPT129N20NM6	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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更多129N20N6供应商更新时间2025-8-4 18:08:00

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