RF/Microwave GaN on SiC Power Devices, Pallets and Modules

The 1214GN-700V is an internally matched, common-source, class-AB GaN-on-SiC HEMT transistor capable of providing over 18 dB gain, 700 W of pulsed RF output power at 300 ?s pulse width, and 10% duty factor across the 960 MHz to 1215 MHz band. The transistor has internal pre-match for optimal per

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Package：55-Q03；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 700W,

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APTIV

安波福

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SMD

MURATA

村田

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SMD

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国巨

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