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1214GN-400LV	文件：102.45 Kbytes Page：5 Pages	400 Watts - 50 Volts, 4.5ms, 30 Broad Band 1200 - 1400 MHz GENERALDESCRIPTION The1214GN-400LVisaninternallymatched,COMMONSOURCE, classABGaNonSiCHEMTtransistorcapableofprovidingover16dB gain,400WattsofpulsedRFoutputpowerat4.5mspulsewidth,30 dutyfactoracrossthe1200to1400MHzband.Thetransistorhas internalpre-mat	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1214GN-400LV	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：55-KR 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 400W,	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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1214GN-400LV

文件：102.45 Kbytes

Page：5 Pages

400 Watts - 50 Volts, 4.5ms, 30 Broad Band 1200 - 1400 MHz

GENERALDESCRIPTION The1214GN-400LVisaninternallymatched,COMMONSOURCE, classABGaNonSiCHEMTtransistorcapableofprovidingover16dB gain,400WattsofpulsedRFoutputpowerat4.5mspulsewidth,30 dutyfactoracrossthe1200to1400MHzband.Thetransistorhas internalpre-mat

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1214GN-400LV

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：55-KR 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 400W,

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

产品属性

产品编号：
1214GN-400LV
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
LV
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
HEMT
频率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
增益：
16.8dB
功率 - 输出：
400W
封装/外壳：
55-KR
供应商器件封装：
55-KR
描述：
TRAN, GAN, 1200-1400 MHZ, 400W,

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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