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1214-220M	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets	Microchip 微芯科技	Microchip
1214-220M	文件：73.87 Kbytes Page：4 Pages	220 Watts - 40 Volts, 150ms, 10 Radar 1200 - 1400 MHz 文件：73.87 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
1214-220M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55ST；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
PH1214-220M	文件：148.81 Kbytes Page：3 Pages	Radar Pulsed Power Transistor 220W, 1.2-1.4 GHz, 150關s Pulse, 10 Duty 文件：148.81 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
PH1214-220M	文件：148.81 Kbytes Page：3 Pages	Radar Pulsed Power Transistor Features • NPN silicon microwave power transistors • Common base configuration • Broadband Class C operation • High efficiency inter-digitized geometry • Diffused emitter ballasting resistors • Gold metallization system • Internal input and output impedance matching • Hermetic metal/cerami 文件：148.81 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
PH1214-220M	文件：139.04 Kbytes Page：3 Pages	Radar Pulsed Power Transistor 220W, 1.2-1.4 GHz, 150關s Pulse, 10 Duty 文件：139.04 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM

产品属性

产品编号：
1214-220M
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
70V
频率 - 跃迁：
1.2GHz ~ 1.4GHz
增益：
7.4dB
功率 - 最大值：
700W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55ST
供应商器件封装：
55ST
描述：
RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST

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