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1214-150L	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets	Microchip 微芯科技	Microchip
1214-150L	文件：87.05 Kbytes Page：4 Pages	150 Watts, 36 Volts, 5 ms, 20 Radar 1200 to 1400 MHz 文件：87.05 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
1214-150L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55ST-1；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MAPRST1214-150UF	文件：153.69 Kbytes Page：4 Pages	Radar Pulsed Power Transistor 150W, 1.2-1.4 GHz, 6ms Pulse, 25 Duty Features • NPN silicon microwave power transistors • Common base configuration • Broadband Class C operation • High efficiency inter-digitized geometry • Diffused emitter ballasting resistors • Gold metallization system • Internal input and output impedance matching • Hermetic metal/cerami 文件：153.69 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
MAPRST1214-150UF	文件：193.14 Kbytes Page：4 Pages	Radar Pulsed Power Transistor 150W, 1.2-1.4 GHz, 6ms Pulse, 25 Duty 文件：193.14 Kbytes 页数：4 Pages	MACOM	MACOM
MAPRST1214-150UF	文件：45.63 Kbytes Page：1 Pages	RADAR PULSED POWER TRANSISTOR Features • NPN silicon microwave power transistors • Common base configuration • Broadband Class C operation • High efficiency inter-digitized geometry • Diffused emitter ballasting resistors • Gold metallization system • Internal input and output impedance matching • Hermetic metal/cerami 文件：45.63 Kbytes 页数：1 Pages	MACOM	MACOM

产品属性

产品编号：
1214-150L
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
频率 - 跃迁：
1.2GHz ~ 1.4GHz
增益：
7.15dB ~ 8.7dB
功率 - 最大值：
320W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55ST-1
供应商器件封装：
55ST-1
描述：
RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1

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