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丝印:11N60M2EP;Package:TO-281;N-channel 600 V, 0.550 Ω typ., 7.5 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in an I²PAKFP package Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • Very low turn-off switching losses • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhan 文件:303.63 Kbytes 页数:13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
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原装正品 |
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STMicroelectronics |
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STM |
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ST/意法 |
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STMicroelectronics |
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ST |
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ST原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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更新时间2026-1-21 17:00:00
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