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NCE1102N

丝印:1102N;Package:SOT23-6L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE1102N uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 110V,ID = 2A RDS(ON)

文件:306.91 Kbytes 页数:7 Pages

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更多1102N供应商 更新时间2025-9-14 13:02:00