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V10DM100C	文件：111.2 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V10DM100C

文件：111.2 Kbytes

Page：5 Pages

DualHigh-VoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -

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