10A015分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
10A015 |
参数属性 | 10A015 封装/外壳为55FT;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT |
功能描述 | 1.5 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 1000 MHz |
封装外壳 | 55FT |
文件大小 |
292.37 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | GHz Technology |
企业简称 |
GHZTECH |
中文名称 | GHz Technology官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-14 22:21:00 |
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10A015规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The 10A015 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 1.5 Watts of Class A, RF Output power to 1000 MHz. This transistor is specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.
产品属性
- 产品编号:
10A015
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
24V
- 频率 - 跃迁:
2.7GHz
- 增益:
9dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值:
6W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 100mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
750mA
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
接线柱安装
- 封装/外壳:
55FT
- 供应商器件封装:
55FT
- 描述:
RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
R-6 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
R-6 |
22800 |
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询价 | ||
GHZTECH |
23+ |
NA |
39960 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
R-6 |
13880 |
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Diodes(美台) |
23+ |
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20094 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
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DIODES/美台 |
24+ |
R-6 |
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DIODES/美台 |
21+ |
NA |
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DIODES/美台 |
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R-6 |
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DIODES/美台 |
21+ |
R-6 |
8080 |
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