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10A015	文件：292.37 Kbytes Page：3 Pages	1.5 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 1000 MHz GENERALDESCRIPTION The10A015isaCOMMONEMITTERtransistorcapableofproviding1.5WattsofClassA,RFOutputpowerto1000MHz.ThistransistorisspecificallydesignedforgeneralClassAamplifierapplications.Itutilizesgoldmetalizationanddiffusedballastingtoprovidehighreliabil	GHZTECH GHz Technology	GHZTECH
10A015	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55FT；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FCL10A015	文件：28.71 Kbytes Page：2 Pages	ExtremelyLowForwardVoltagedropDiode	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
S10A015	文件：43.35 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSGENERALPURPOSELINEARAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD5000isaNPNSiliconTransistordesignedforhighgainlinearperformanceat1000MHz. Thispartusesgoldmetallizeddieandpolysiliconsiteballastingtoachievehighreliabilityandruggedness. TheSD5000canbeusedforapplicationssuchasTelecommunications,Radar,ECM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
10A015
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
24V
频率 - 跃迁：
2.7GHz
增益：
9dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值：
6W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 100mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
750mA
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
55FT
供应商器件封装：
55FT
描述：
RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT

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