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BFB1012HH-A	文件：586.97 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012L	文件：972.87 Kbytes Page：8 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012L-A	文件：583.73 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012M	文件：609.39 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012M-A	文件：410.82 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BGM1012	文件：87.98 Kbytes Page：12 Pages	MMICwidebandamplifier	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BGM1012	文件：403.08 Kbytes Page：13 Pages	MMICwidebandamplifier FEATURES Internallymatchedto50 Verywidefrequencyrange(4GHzat3dBbandwidth) Veryflat20dBgain(DCto2.9GHzat1dBflatness) 10dBmsaturatedoutputpowerat1GHz Highlinearity(18dBmIP3(out)at1GHz) Lowcurrent(14.6mA) Unconditionallystable. APPLICA	ETC	ETC
BM1012LF	文件：162.38 Kbytes Page：1 Pages	DCCOMMONMODECHOKES OUTLINE(UU9TF) 1.DCcommonmodechokes FEATURES 1.Smallsize,inexpensivetype 2.ItiseffectivetothenoisecountermeasureforDClinenoiseandimmunityformulti-functiontelephone,PBXandFAX. APPLICATION 1.Multifunctiontelephone 2.PBX 3.FAX FEATURES	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
BM1012LF	文件：143.63 Kbytes Page：1 Pages	DCCOMMONMODECHOKECOIL	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
BURNDY_YF1012ID	文件：277.6 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,10AWG,0.79L,TinPlated,Yellow,ForuseonCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL

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产品属性

产品编号：
1012GN-800V
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
V
包装：
卷带（TR）
频率：
1.025GHz ~ 1.15GHz
增益：
19.3dB
功率 - 输出：
825W
封装/外壳：
55-KR
供应商器件封装：
55-KR
描述：
TRAN, GAN, 1030/1090 MHZ, 800W,

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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