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Marking：100N3LLH7；Package：PowerFLAT；N-channel 30 V, 0.0025 Ω, 25 A PowerFLAT™ (5x6) STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancheruggedness Application ■Switchingapplications Description Thisdeviceutilizesthe7thgenerationofdesign rulesofST’sproprietarySTripFET™technology, withanewgatestructure.Th | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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