首页 >100N06L其他被动元件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●FastRecoveryBodyDiode ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM100N06seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunctiont | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | ADV | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechno | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | ADV | ||
OptiMOSTMPower-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMosfet | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | FOSTER | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
NPTIGBTModules NPTIGBTModules | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
60VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
