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100N03A	文件：910.69 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Power Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.8mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.4mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances	UMWUMW 友台友台半导体
100N03A	文件：212.13 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0V N-CHANNEL MOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
100N03	文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BR100N03	文件：884.73 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BSC100N03LSG	文件：390.79 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC100N03MSG	文件：387.61 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC100N03MSG	文件：530.46 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSZ100N03LSG	文件：339.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSZ100N03MSG	文件：337.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
CMP100N03	文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
D100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize™”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
FIR100N03DFNG	文件：4.39155 Mbytes Page：7 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR100N03LG	文件：3.4815 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR100N03PG	文件：3.33162 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
HLDD100N03	文件：1.00544 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司
HM100N03	文件：710.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompatible ■Surfacemountpackage. Applications ■DCtoDCconverters ■	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A) Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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更多100N03A供应商更新时间2024-4-26 17:08:00

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