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100LVEL11	文件：131.63 Kbytes Page：6 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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AZ100LVEL11T	文件：76.79 Kbytes Page：6 Pages	ECL/PECL1:2DifferentialFanoutBuffer DESCRIPTION TheAZ10/100EL11isadifferential1:2fanoutgate.ThedeviceisfunctionallysimilartotheE111devicebutwithhigherperformancecapabilities.Havingwithin-deviceskewsandoutputtransitiontimessignificantlyimprovedovertheE111,theEL11isideallysuitedforthoseapplica	AZMArizona Microtek, Inc 亚利桑那亚利桑那Microtek公司
AZ100LVEL11T+	文件：88.29 Kbytes Page：7 Pages	ECL/PECL1:2DifferentialFanoutBuffer DESCRIPTION TheAZ10/100LVEL11isadifferential1:2fanoutgate.ThedeviceisfunctionallysimilartotheE111devicebutwithhigherperformancecapabilities.Havingwithin-deviceskewsandoutputtransitiontimessignificantlyimprovedovertheE111,theAZ10/100LVEL11isideallysuitedfor	AZMArizona Microtek, Inc 亚利桑那亚利桑那Microtek公司
AZ100LVEL11TG	文件：476.01 Kbytes Page：8 Pages	PECL/ECL1:2DifferentialFanoutBuffer	AZMArizona Microtek, Inc 亚利桑那亚利桑那Microtek公司
MC100LVEL11	文件：141.57 Kbytes Page：8 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11	文件：83.08 Kbytes Page：3 Pages	LowVoltage1:2DifferentialFanoutBuffer Description TheMC100LVEL11isadifferential1:2fanoutbuffer.ThedeviceisfunctionallysimilartotheE111devicebutwithhigherperformancecapabilities.Havingwithin-deviceskewsandoutputtransitiontimessignificantlyimprovedovertheE111,theLVEL11isideallysuitedforthoseappl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11D	文件：141.57 Kbytes Page：8 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11D	文件：202.47 Kbytes Page：20 Pages	EvaluationBoardManualforHighFrequencySOIC8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11DG	文件：141.57 Kbytes Page：8 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11DG	文件：99.21 Kbytes Page：8 Pages	ECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11DT	文件：141.57 Kbytes Page：8 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MC100LVEL11DTG	文件：141.57 Kbytes Page：8 Pages	3.3VECL1:2DifferentialFanoutBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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详细参数

型号：
100LVEL11M_Q
功能描述：
时钟缓冲器 ECL
1：
2 Diff Buffer
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出端数量：
5
最大输入频率：
40 MHz
电源电压-最大：
3.45 V
电源电压-最小：
2.375 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
LLP-24
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多100LVEL11M_Q供应商更新时间2024-4-27 15:00:00

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