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IPP089N15NM6

丝印:089N15N6;Package:PG-TO220-3;MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件:897.1 Kbytes 页数:11 Pages

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更多089N15N6供应商 更新时间2025-9-21 11:00:00