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08051J3R9BBT

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件:132.79 Kbytes 页数:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

08051J3R9BBTTR

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR) 类别:电容器 薄膜电容器 描述:CAP THIN FILM 3.9PF 100V 0805

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详细参数

  • 型号:

    08051J3R9BBT

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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更多08051J3R9BBT供应商 更新时间2025-10-4 10:09:00