08051J0R4BBS中文资料恩XP数据手册PDF规格书

厂商型号	08051J0R4BBS
功能描述	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor
文件大小	1.13431 Mbytes
页面数量	25 页
生产厂商	恩XP
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更新时间	2025-10-9 15:58:00
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