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08051J0R4BBS中文资料恩智浦数据手册PDF规格书

08051J0R4BBS
厂商型号

08051J0R4BBS

功能描述

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

1.13431 Mbytes

页面数量

25

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-26 11:46:00

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