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08051J0R4BBS

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件:1.13431 Mbytes 页数:25 Pages

恩XP

恩XP

08051J0R4BBT

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件:132.79 Kbytes 页数:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

08055C103KAT2A

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更多08051J0R4BBS供应商 更新时间2025-10-4 10:09:00