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060N03L	文件：1.47051 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
060N03L	文件：1.69145 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
060N03L_V01	文件：1.69145 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
060N03LG	文件：1.3775 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IIPD060N03L	文件：334.68 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPD060N03L	文件：397.11 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
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IPD060N03LG	文件：526.25 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesFastswitchingMOSFETforSMPS OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPF060N03LG	文件：526.25 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesFastswitchingMOSFETforSMPS OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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