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06035J5R6BS	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BS	文件：456.37 Kbytes Page：20 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BS	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BBS	文件：678.66 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
06035J5R6BBS	文件：901.87 Kbytes Page：18 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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