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IPP054NE8N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPP054NE8N

OptiMOS짰2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP054NE8NG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel175째Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP054NE8NG

OptiMOS짰2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPP054NE8N-G

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel175째Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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