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SPP04N60C2	文件：1.09082 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPU04N60C2	文件：143.83 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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SPP04N60C2

文件：1.09082 Mbytes

Page：9 Pages

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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CoolMOS??PowerTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多04N60C2供应商更新时间2025-7-24 15:57:00

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