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04N60C2	文件：1.94929 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.94929 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C2	文件：2.12878 Mbytes Page：10 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.12878 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C2_V01	文件：2.12878 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.12878 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C3	文件：1.94936 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.94936 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C3	文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.1288 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C3_V01	文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.1288 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
04N60C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cool MOS™ Power Transistor Feature\n• New revolutionary high voltage technology\n• Ultra low gate charge\n• Periodic avalanche rated\n• Extreme dv/dt rated\n• Ultra low effective capacitances\n• Improved noise immunity	Infineon 英飞凌	Infineon

更多04N60C供应商更新时间2026-4-15 17:22:00