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FDP047N08	文件：521.809 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET75V,164A,4.7m廓 Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=3.8mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=80A •Fastswitc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP047N08	文件：328.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KU047N08P	文件：411.7 Kbytes Page：7 Pages	N-chTrenchMOSFET GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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FDP047N08

文件：521.809 Kbytes

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N-ChannelPowerTrench짰MOSFET75V,164A,4.7m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=3.8mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=80A •Fastswitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDP047N08

文件：328.22 Kbytes

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

KU047N08P

文件：411.7 Kbytes

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N-chTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

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更多047N08NS供应商更新时间2024-5-27 11:30:00

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