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04023J8R2BBS电容器的薄膜电容器规格书PDF中文资料

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厂商型号

04023J8R2BBS

参数属性

04023J8R2BBS 封装/外壳为0402(1005 公制);包装为卷带(TR);类别为电容器的薄膜电容器;产品描述:CAP THIN FILM 8.2PF 25V 0402

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

封装外壳

0402(1005 公制)

文件大小

342.39 Kbytes

页面数量

10 页

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2026-10-3 14:20:00

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04023J8R2BBS规格书详情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a 2-stage high efficiency InGaP HBT driver amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 V supply.

特性 Features

• Frequency: 2300-2700 MHz

• P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz

• Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz

• Third Order Output Intercept Point: 40 dBm @ 2500 MHz

• Active Bias Control (On-chip)

• Single 3 to 5 V Supply

• Single-ended Power Detector

• Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    04023J8R2BBSTR-500

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    Accu-P®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0402(1005 公制)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    RF,高 Q 值,低损耗

  • 大小 / 尺寸:

    0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.020"(0.50mm)

  • 描述:

    CAP THIN FILM 8.2PF 25V 0402

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