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04023J8R2BBS	文件：899.04 Kbytes Page：12 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications 文件：899.04 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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更多04023J8R2BATTR供应商更新时间2026-1-30 14:20:00