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BZW04-11	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO
BZW04-11	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04-11	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZW04-11	文件：614.13 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressor Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-STD-19500 ◇400Wsurgecapabilityat10x1000uswaveform ◇Excellentclampingcapability ◇Lowimpedancesurgeresistance ◇Veryfastresponsetime ◇TypicalI	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BZW04-11	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-11	文件：143.89 Kbytes Page：3 Pages	UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes •Peakpulsepowerdissipation400W •NominalStand-offvoltage5.8...376V •PlasticcaseDO-15(DO-204AC) •Weightapprox	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BZW04-11	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04-11	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorbTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-11	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
BZW04-11	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE

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