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02N80C3	文件：1.87733 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.87733 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPA02N80C3	文件：261.72 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：261.72 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPD02N80C3	文件：433.48 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0) for target applications 文件：433.48 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPP02N80C3	文件：261.72 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：261.72 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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