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ACDBUC0145-HF	文件：472.33 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythinpackage. -Majoritycarrierconduction. -AEC-Q101Qualified&PPAP.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
AR0145CS	文件：261.54 Kbytes Page：6 Pages	1/4.3-inch1MPCMOSDigitalImageSensorwithGlobalShutter Features SuperiorLow−lightandIRPerformance 1/2−lane8/10−bitMIPI AutomaticBlackLevelCalibration(ABLC) HorizontalandVerticalMirroring, WindowingandPixelBinning 5x5StatisticsEngineforOn−chipAuto ExposureControlforAnyProgrammable RegionofInterest(ROI) 	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BES0145	文件：106.5 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团	Balluff
CDBF0145	文件：151.2 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent(IR=0.1uAtyp.@VR=10V). Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBF0145-HF	文件：200.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Halogenfree. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent.(IR=0.1uAtyp.@VR=10V) Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)standardpackage,moldedplastic. Termi	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBFR0145	文件：76.74 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent.(IR=0.1uAtyp.@VR=10V) Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:1005(2512)standardpackage, moldedplastic. Te	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBFR0145-HF	文件：129.11 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Lowleakagecurrent. (IR=0.1uAtyp.@VR=10V) -Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata -Case:1005/SOD-323Fstandardpackage, moldedpla	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBN0145	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface Extremelythinpackage Lowstoredcharge Majoritycarrierconduction Mechanicaldata Case:1206(3216)Standardpackage,moldedplastic Terminals:Solderplated,solderableperMIL-STD-750,method202	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBS0145	文件：61.47 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface Extremelythinpackage Lowstoredcharge Majoritycarrierconduction Mechanicaldata Case:0805(2012)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Solderplated,solderableperMIL-STD-750,method2	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBU0145	文件：151.2 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Io=100mA VR=45Volts Features Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Lowleakagecurrent(IR=0.1uAtyp.@VR=10V). Majoritycarrierconduction. Mechanicaldata Case:0603(1608)Standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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