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SPP02N80	文件：296.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP02N80C3	文件：261.72 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N80C3	文件：394.79 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N80C3	文件：447.59 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N80C3_08	文件：394.79 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP02N80C3_11	文件：447.59 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CJP02N80	文件：422.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP02N80	文件：1.89969 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJU02N80	文件：691.21 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU02N80	文件：1.50205 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSRF02N80SL	文件：507.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

详细参数

型号：
SPP02N80
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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