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CJU02N80

Plastic-Encapsulate MOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJU02N80

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

SPP02N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSRF02N80SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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更多CJU02N80供应商 更新时间2024-5-22 10:02:00