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CJU05N60B	文件：1.92842 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU05N60B	文件：717.72 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
05N60	文件：1.99607 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BIDD05N60T	文件：1.48522 Mbytes Page：10 Pages	BIDD05N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) Features 600V,5A,LowVCE(sat) Trench-GateField-Stoptechnology Optimizedforconduction Robust RoHScompliant* Applications Switch-ModePowerSupplies(SMPS) UninterruptiblePowerSources(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
CJD05N60B	文件：823.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJD05N60B	文件：603.14 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP05N60	文件：985.21 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP05N60B	文件：509.45 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJPF05N60	文件：1.4045 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF05N60	文件：1.78164 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJPF05N60B	文件：1.11328 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF05N60B	文件：2.0398 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJU05N60	文件：510.18 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU05N60	文件：778.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
DMS05N60	文件：565.1 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelDepletion-ModeMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
FMC05N60E	文件：332.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMC05N60E	文件：578.55 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMI05N60E	文件：575.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMP05N60E	文件：568.93 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMV05N60E	文件：547.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applicati	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji

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更多CJU05N60B供应商更新时间2024-5-16 10:58:00

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