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SPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP03N60S5	文件：308.41 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP03N60S5	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP03N60S5	文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP03N60S5_03	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP03N60S5_09	文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
03N60S5	文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
03N60S5	文件：2.51693 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD03N60S5	文件：335.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB03N60S5	文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
SPB03N60S5	文件：552.73 Kbytes Page：12 Pages	HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
SPB03N60S5	文件：1.10328 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB03N60S5	文件：227.05 Kbytes Page：8 Pages	AL9910EV4Evaluationboardconnectiondiagram	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
SPB03N60S5	文件：254.2 Kbytes Page：12 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC.	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
SPB03N60S5	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB03N60S5	文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB03N60S5	文件：308.41 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD03N60S5	文件：253.64 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD03N60S5	文件：335.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
SPP03N60S5
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	SPP03N60S5	INF	19+	TO-220	18628		询价
深圳市英科美电子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON/英飞凌	2021+	TO-220	17404	原装进口假一罚十	询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	SPP03N60S5	INFINEON/英飞凌	21+	TO-220	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPP03N60S5	Infineon(英飞凌)	23+	TO-220	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市恒创达实业有限公司	SPP03N60S5	Infineon	17+	TO-220	6200		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	23+	T0-220	7936		询价
深圳市弘为电子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	16+	原装进口原厂原包接受订货	500	原装现货假一罚十	询价
深圳市星佑电子有限公司	SPP03N60S5	英飞凌	06+	TO-220	4500	原装	询价
深圳市勤思达科技有限公司	SPP03N60S5	INF	23+		540	原装现货,欢迎咨询	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SPP03N60S5	INFINEON	2016+	TO-220	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价

更多SPP03N60S5供应商更新时间2024-6-19 16:03:00

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