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KF13N60N	文件：71.36 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=13A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
SGH13N60UFD	文件：308.44 Kbytes Page：8 Pages	FEATURES FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=6.5A) HighInputImpedance CO-PAK,IGBTwithFRD:Trr=37nS(typ.) APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply *LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UF	文件：537.15 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UF	文件：542.63 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UFD	文件：595.25 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses. TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeed	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP13N60UFTU	文件：542.63 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS13N60UF	文件：552.28 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS13N60UFD	文件：610.93 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW13N60UF	文件：536.83 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW13N60UFD	文件：595.64 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSS13N60B	文件：1.10799 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SGH13N60UFDTU
功能描述：
IGBT 晶体管
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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